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一种装置包括第一读端口、第二读端口、写端口以及至少一个存储锁存器。包括第一读端口、第二读端口和写端口的位单元的宽度大于与该位单元相关联的接触式多晶间距(CPP)的两倍。例如，位单元可以是与自对准双图案化(SADP)工艺兼容且可使用小于14纳...
该专利属于高通股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过高通股份有限公司授权不得商用。

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