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公开了能够抑制电阻值随着过程或温度的波动而产生的波动并便于调整的伪电阻电路。该伪电阻电路包括第一MOSFET、第二MOSFET、生成与绝对温度大致成正比的第一电流的第一电流源、以及生成与绝对温度成大致线性函数关系的第一电压的电压源。第一MO...
该专利属于株式会社村田制作所;麻省理工学院所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社村田制作所;麻省理工学院授权不得商用。

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