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量子点组合物制造技术
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文档序号:15527916
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本发明公开了量子点(QD)的多相聚合物膜。QD被吸收在分散在外部聚合物相内的主体基质中。主体基质是疏水性的并且与QD的表面相容。主体基质还可以包含防止QD聚集的支架材料。外部聚合物典型是更亲水的并且防止氧与QD接触。...
该专利属于纳米技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过纳米技术有限公司授权不得商用。
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