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一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片及其制备方法技术
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下载一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片及其制备方法的技术资料
文档序号:15510553
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本发明公开了一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片及其制备方法。该宽带高效GaN基LED芯片为倒装结构,由下至上依次包括衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n‑GaN层、量子阱层、电子阻挡层、p‑GaN层、金属反射镜层、钝化层、...
该专利属于华南理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过华南理工大学授权不得商用。
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