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本发明涉及一种含有氮镓铝和氮镓铟的插入层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括衬底、设在该衬底上部的籽晶层、设在该籽晶层上部的缓冲层、设在该缓冲层上部的Ⅲ族氮化物外延层以及设置在该Ⅲ族氮化物外延层中间的插入层，该插入层包括氮镓铝层和/或...
该专利属于英诺赛科（珠海）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科（珠海）科技有限公司授权不得商用。

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