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本发明公开了集成肖特基二极管的SiC JFET(结型场效应晶体管)器件，其有源区的原胞结构从下至上依次为漏极、SiC衬底、buffer层、n‑漂移层、左右对称设置的两个p+阱层、n沟道层、n沟道层两侧左右对称设置的两个p+区、从左至右依次对...
该专利属于北京世纪金光半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京世纪金光半导体有限公司授权不得商用。

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