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本发明涉及一种通过对二维碳化物晶体进行氯化可控合成高品质石墨烯的方法。具体的制备方法如下：在一定温度下向二维碳化物晶体中引入氯气，利用氯气与二维碳化物的刻蚀反应获得。此法能够可控合成单层、两层及少层，I...
该专利属于武汉理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉理工大学授权不得商用。

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