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本发明公开了一种具有p‑n异质结的BG/ZnO纳米复合材料的制备方法及其用途，其中BG/ZnO纳米复合材料是以BG为p型半导体，以ZnO为n型半导体，水热合成的具有p‑n异质结的纳米复合材料。通过形成p‑n异质结能够促进光生电子和空穴的分离...
该专利属于安徽大学所有，仅供学习研究参考，未经过安徽大学授权不得商用。

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