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利用二次等离子体注入的等离子体蚀刻系统及方法技术方案
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文档序号:15447846
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本申请公开了利用二次等离子体注入的等离子体蚀刻系统及方法。一种等离子体处理装置包括:第一等离子体源;第一平面电极;气体分配设备;等离子体阻挡筛网;以及工件卡盘。所述第一等离子体源产生第一等离子体产物,所述第一等离子体产物从所述第一等离子体源...
该专利属于应用材料公司所有,仅供学习研究参考,未经过应用材料公司授权不得商用。
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