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本发明提供一种高压LED芯片制备方法，包括以下步骤：(1)选用蓝宝石衬底生长GaN外延，在完成Mesa刻蚀、氮化镓深刻蚀(ISO)之后沉积P‑SiO...
该专利属于合肥彩虹蓝光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥彩虹蓝光科技有限公司授权不得商用。

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