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本发明提供了一种半导体器件，包括半导体衬底以及位于半导体衬底上的半导体鳍。其中，半导体鳍在两个单元共用的共同边界处具有鳍隔离结构。鳍隔离结构具有从半导体鳍顶部延伸至半导体衬底上的停止层的气隙。气隙将半导体鳍分成半导体鳍的两部分。鳍隔离结构包...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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