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本发明揭示了一种压力传感器及其制备方法，所述压力传感器，包括参考电容和感应电容，所述参考电容和所述感应电容在所述半导体基板上阵列分布；在所述参考电容的位置，所述压力感应层包括顶壁、底壁、侧壁及插塞结构，所述顶壁、底壁、侧壁和半导体基板围成一...
该专利属于上海丽恒光微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海丽恒光微电子科技有限公司授权不得商用。

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