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一种晶体管结构被形成为包含衬底以及位于所述衬底上方的源极、漏极和沟道，所述沟道被垂直地设置在所述源极与所述漏极之间。所述沟道被耦接至栅极导体，所述栅极导体经由栅极电介质材料层围绕所述沟道，所述栅极电介质材料层围绕所述沟道。所述栅极导体由具有...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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