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本发明涉及半导体器件、集成电路和制造集成电路的方法。一种半导体器件在包括第一主表面的半导体衬底中形成并且包括置放于在第一主表面中形成的第一沟槽的下部中的控制栅、在控制栅上方置放在第一沟槽中并且从控制栅绝缘的浮栅、第一导电类型的源极区域、第二...
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