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本发明提供一种相变存储器阵列堆叠结构及其操作方法，所述相变存储器阵列堆叠结构至少包括：若干相变存储块、全局位线、本地位线、块位线、第一选通门和第二选通门；其中，每块所述相变存储块中包括至少四列相变电阻，每列中所述相变电阻分别对应连接至一块位...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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