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本发明提供了一种利用氮注入改善锗硅选择性外延的侧墙淀积问题的方法，包括：提供在衬底中形成有由隔离区隔开的NMOS器件区域以及PMOS器件区域的硅片，其中在NMOS器件区域以及PMOS器件区域上形成有具有氮化硅侧墙的栅极结构；在衬底的NMOS...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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