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本发明提供具有良好的发光特性的使用了III族氮化物半导体的半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法。半导体发光元件具有：层叠在基板上的n型半导体层；发光层，由势垒层以及包含In原子的阱层交替层叠了多个的多重量子阱构造构成；和p型半导体层，发...
该专利属于丰田合成株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过丰田合成株式会社授权不得商用。

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