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本发明的一些实施例提供了半导体器件。该半导体器件包括半导体衬底。供给层位于半导体衬底上方。该供给层包括顶面。栅极结构、漏极和源极位于供给层上方。钝化层共形地覆盖在栅极结构和供给层上方。栅电极位于栅极结构上方。场板设置在栅电极和漏极之间的钝化...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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