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本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种高可靠性的SOI‑LIGBT。本发明相比于传统的LIGBT，在P+集电区附近引入一个N+集电区和多晶硅电阻区，又在发射极端引入槽形发射电极。新器件可实现如MOSFET的耐压机理，其耐压值大小不随P+...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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