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本发明公开了一种降低沟槽型IGBT栅集电容并提高其击穿电压的方法，在沟槽形成之后热生长栅氧化层之前在沟槽底部形成厚氧化层，在此过程中用高掺杂的多晶硅来保护沟槽底部的氧化层，然后全部氧化残留多晶硅使之成为沟槽底部厚氧化层的一部分，不留任何多晶...
该专利属于河北昂扬微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河北昂扬微电子科技有限公司授权不得商用。

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