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提供了一种3‑D半导体器件及其制造方法。该3‑D半导体器件包括：衬底，沿着由第一方向x和第二方向y限定的第一平面延伸，衬底具有形成在其中的管道晶体管；多个字线，沿着垂直于第一方向x和第二方向y的第三方向z以规则的间距间隔开；第一垂直插塞，通...
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