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本发明公开了一种柔性基底的预处理工艺，包括以下步骤：在柔性基底上制备牺牲层；采用离子束刻蚀工艺对柔性基底上的牺牲层进行刻蚀，直至刻蚀到牺牲层与柔性基底的临界面；采用离子束抛光工艺对刻蚀后得到的柔性基底进行抛光，直至柔性基底表面平滑。本发明通...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十八研究所授权不得商用。

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