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本发明公开了一种硅通孔可靠性分析方法，主要解决现有技术中仿真时间长，消耗存储大的问题。其技术方案是：1)提取硅通孔内外各层材料的物理参数；2)输入硅通孔的环境温度T和外加激励；3)使用1)和2)中的参数，计算硅通孔热分布；4)使用Matla...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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