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本发明提供一种真空蒸镀装置,包括蒸发源、待镀基底、真空室及电磁波信号输入装置,该蒸发源包括蒸发材料及碳纳米管膜结构,该碳纳米管膜结构为一载体,该蒸发材料设置在该碳纳米管膜结构表面,通过该碳纳米管膜结构承载,该蒸发源及待镀基底设置在该真空室中...该专利属于清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种真空蒸镀装置,包括蒸发源、待镀基底、真空室及电磁波信号输入装置,该蒸发源包括蒸发材料及碳纳米管膜结构,该碳纳米管膜结构为一载体,该蒸发材料设置在该碳纳米管膜结构表面,通过该碳纳米管膜结构承载,该蒸发源及待镀基底设置在该真空室中...