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本发明提供一种扇出型晶圆级封装结构及其制备方法，其中，封装结构至少包括：重新布线层；键合于所述重新布线层上表面的至少一个倒装芯片及形成于所述重新布线层上表面的至少两个第一凸块，所述倒装芯片和所述第一凸块均与所述重新布线层实现电性连接，且所述...
该专利属于中芯长电半导体（江阴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯长电半导体（江阴）有限公司授权不得商用。

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