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公开了一种具有衬底、衬底上的介电层、第一栅极导体、栅极间介电结构和第二栅极导体的半导体器件。栅极介电结构布置在第一栅极导体和介电层之间，并且可包括两个或更多个以交替方式布置的介电薄膜。栅极间介电结构可设置在第一栅极导体和第二栅极导体之间，并...
该专利属于赛普拉斯半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过赛普拉斯半导体公司授权不得商用。

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