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薄膜1S1R位单元包含位于选择器元件与存储器元件之间的阻挡部。还描述了包含这些位单元的器件和形成这些位单元的方法。在实施例中，选择器元件和存储器元件均为电介质材料，并且有利地为金属氧化物。位于选择器元件与存储器元件之间的是阻挡部，其用于减小...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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