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一种确定在衬底上光刻工艺中使用的光刻设备的曝光剂量的方法，方法包括步骤：(a)接收包括使用光刻工艺制造的第一结构和第二结构的衬底；(b)当采用辐射照射第一结构时，检测被散射的辐射以获得第一散射仪信号；(c)当采用辐射照射第二结构时，检测被散...
该专利属于ASML荷兰有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ASML荷兰有限公司授权不得商用。

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