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一种半导体结构及其形成方法，本发明去除靠近所述第一凹槽的部分第一掩膜，形成露出部分第一鳍部和部分第二鳍部的第一开口，通过填充所述第一凹槽和第一开口形成第一隔离结构，因此第一隔离结构不仅能够实现所述第一鳍部和第二鳍部之间的电隔离，还能够覆盖所...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。