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本发明涉及一种高密度低压沟槽功率MOS器件及其制造方法，通过在沟槽上部进行热氧化（厚度在500A‑5000A），形成了沟槽的碗口结构，并配合选用高选择比（二氧化硅：硅）的干法普遍刻蚀方法，在不刻蚀二氧化硅的前提下只刻蚀硅，从而实现了沟槽功率...
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