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一种半导体元件的制作方法，包括在一半导体基板上磊晶生长多个长条形半导体结构的第一部分，长条形半导体结构垂直于此基板延伸。方法进一步包括在基板上形成栅极层，栅极层与长条形半导体结构接触。方法进一步包括在栅极层及长条形半导体结构上执行平坦化制程...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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