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本发明公开了一种重掺衬底反型高阻IC外延片的制备方法，包括如下步骤：A、预备重掺衬底埋层片；B、HCl抛光；C、外延生长：选择双层外延工艺条件，硅源采用超高纯三氯氢硅，第一步生长一重掺过渡层，其生长温度为1100℃，生长速率为0.4～0.6...
该专利属于南京国盛电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京国盛电子有限公司授权不得商用。

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