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本发明公开了一种基于动态电阻单元的伪差分式半导体只读存储阵列，包括存储阵列单元、预充电单元、差分灵敏放大器，其特征在于，还包括动态电阻单元；存储阵列单元中每个存储单元漏极与差分位线相连，每个存储单元栅极与字线相连，源极接地；差分位线上端在位...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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