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本申请公开了使用前侧深沟槽刻蚀隔离电路元件。一种集成电路(400，图4)通过以下方式形成：形成穿过互连区域(404)的至少部分的隔离沟槽(430、432、434)，该沟槽深入集成电路的基板(402)中至少40微米，至少200微米的基板材料留...
该专利属于德克萨斯仪器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德克萨斯仪器股份有限公司授权不得商用。

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