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本实用新型提供了一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，包括上端盖、下端盖和发射极金属电极；上端盖和下端盖均为凹形盖，上端盖和下端盖的两侧壁通过外框架弹簧连接形成一个长方体框架；发射极金属电极设置在长方体框架内，其包括圆盘形金属电极，及...该专利属于华北电力大学;全球能源互联网研究院;国家电网公司所有，仅供学习研究参考，未经过华北电力大学;全球能源互联网研究院;国家电网公司授权不得商用。