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本发明公开一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构，包含有一半导体基底，以及至少一形成于该半导体基底上的鳍片结构。该半导体基底包含有一第一半导体材料。该鳍片结构包含有一第一外延层与一形成于该第一外延层与该半导体基底之间的第二外延层，而该第一...
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