温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种偏压温度不稳定性测试结构，包括奇数个串联的反相器，每一所述反相器包括一个PMOS管和一个NMOS管，其中，每一所述PMOS管和NMOS管的栅极、源极、漏极和体区均通过焊盘引出。本发明还提供了一种利用上述测试结构的偏压温度不稳...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。