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本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的阱区上形成有NMOS和PMOS的具有第一高度的鳍片；步骤S2：在所述鳍片的侧壁上形成间隙壁，以覆盖所述鳍片的侧壁；步骤S3：以所述间隙壁...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。