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一种耐高温结构型SiC多孔陶瓷的制备方法，它属于吸波、环保、催化、生物传感、半导体材料、能源和核防护材料制备领域，具体涉及一种SiC多孔陶瓷的制备方法。本发明的目的是要解决现有制备SiC多孔陶瓷的方法普遍存在多孔陶瓷的孔径分布和大小难以调控...
该专利属于哈尔滨工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工业大学授权不得商用。

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