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一种高耐压VDMOS器件，包括N型衬底、外延层、P体区、N+源区、源极金属、栅氧化层、和多晶硅层；N型衬底位于器件最底部，N型衬底设置有连接漏极的接口；外延层设于N型衬底的上部，外延层的厚度为28μm，外延层的电阻率为43.1034Ω·cm...该专利属于佛山市蓝箭电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佛山市蓝箭电子股份有限公司授权不得商用。
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一种高耐压VDMOS器件，包括N型衬底、外延层、P体区、N+源区、源极金属、栅氧化层、和多晶硅层；N型衬底位于器件最底部，N型衬底设置有连接漏极的接口；外延层设于N型衬底的上部，外延层的厚度为28μm，外延层的电阻率为43.1034Ω·cm...