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本发明涉及一种透明导电薄膜的制备方法及透明导电薄膜，该方法采用氧化铟的质量百分含量为87％～93％的氧化铟锡作为靶材，在氢气的体积百分含量为0.3％～1.5％的第一反应气体的氛围下，在衬底上磁控溅射沉积形成第一氧化铟锡薄膜。然后以氧化铟的质...
该专利属于宜昌南玻显示器件有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宜昌南玻显示器件有限公司授权不得商用。

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