温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本实用新型公开了一种N沟埋栅SITH型的ESD保护器件，包括透明阴极N+区、外延N‑区、埋栅PBL区、衬底N‑区、透明阳极P+区，埋栅PBL区位于外延N‑区和衬底N‑区之间，外延N‑区和衬底N‑区都与埋栅PBL区相连，透明阴极N+区与衬底N...该专利属于厦门集顺半导体制造有限公司;厦门元顺微电子技术有限公司;友顺科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门集顺半导体制造有限公司;厦门元顺微电子技术有限公司;友顺科技股份有限公司授权不得商用。