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静电放电(ESD)保护电路包括形成具有多行和多列的阵列的多组p型重掺杂半导体带(p+带)和多组n型重掺杂半导体带(n+带)。在多行和多列的每一个中，多组p+带和多组n+带被分配为交替布局。ESD保护电路还包括多个栅极堆叠件，每一个栅极堆叠件...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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