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本实用新型涉及包含掺杂缓冲层和沟道层的半导体结构，包括衬底、在衬底上面的高电压阻挡层、在高电压层上面的掺杂缓冲层、和在掺杂缓冲层上面的沟道层，其中掺杂缓冲层和沟道层包含相同的化合物半导体材料，掺杂缓冲层具有在第一载流子杂质浓度的载流子杂质类...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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