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在元件部和终端部具有超结结构的纵型的功率半导体装置中，在超结结构的外周部表面上形成n型杂质层。由此，能够降低超结结构区的外周部表面的电场。因此，能够提供高耐压且高可靠性的纵型功率半导体装置。...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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