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本发明涉及包括空沟槽结构的半导体器件及其制造方法。该方法基于以下步骤：在包括衬底和至少一个绝缘层的本体(30)中形成沟槽(41)；以及在本体上方沉积金属层(46)，用于封闭沟槽的口。通过选择性地刻蚀本体形成沟槽，其中反应副产物在沟槽的壁上沉...
该专利属于意法半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体股份有限公司授权不得商用。

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