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本发明是一种制备小尺寸MRAM元件的方法，其在半导体晶片上构建尽可能靠近相关通孔的MTJ，该通孔连接相关电路。本发明提供了一种在膜沉积过程中底电极表面平坦化的工艺方案，确保获得原子级平滑度而非粗糙的MTJ多层膜沉积，该MTJ多层膜尽可能靠近...
该专利属于上海磁宇信息科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海磁宇信息科技有限公司授权不得商用。

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