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具有半导体性质Ⅱb型金刚石单晶的人工生长方法及装置制造方法及图纸
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下载具有半导体性质Ⅱb型金刚石单晶的人工生长方法及装置的技术资料
文档序号:15103696
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一种具有半导体性质Ⅱb型金刚石单晶的人工生长方法及装置,该方法是向作为碳源的石墨中掺加氮化硼,使金刚石晶体在生长过程中有硼原子掺杂,高温高压条件下,将金刚石晶种置于金属触媒的底部,利用温度梯度法生长;生长装置包括导电片、导电石墨环、耐火保温...
该专利属于济南中乌新材料有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过济南中乌新材料有限公司授权不得商用。
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