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本发明的半导体衬底的研磨方法，具有：中间研磨工序，进行研磨以使半导体衬底的表面中高度不足3nm的表面缺陷数成为全部表面缺陷数的45％以上；最后研磨工序，在所述中间研磨工序之后对所述半导体衬底进行精研磨。...
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