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一种片上集成器件栅介质制作方法，其创新在于，采用相应的适配方法在芯片上分别形成CCD介质层和CMOS介质层；本发明的有益技术效果是：可以明显改善器件参数，降低工艺成本。...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十四研究所授权不得商用。

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